CONTACT : ADRIEN REVEL

La fabrication additive par faisceau d’électrons emploie des faisceaux de très fort courant, typiquement 10⁴ à 10⁶ fois plus intenses que dans les microscopes électroniques à balayage. L’effet d’une telle charge d’espace sur la focalisation du faisceau est critique en vue de l’obtention d’une zone active de taille micrométrique, exigée par le procédé FA.

Notre équipe a développé un modèle particulaire (Particle-in-Cell) pour étudier la mise en forme (focalisation, astigmatisme) et le transport des faisceaux intenses d’électrons (~100 mA), y compris la déviation suivant deux axes orthogonaux (bobines de déflection). Un exemple de résultat de la mise en forme est donné dans la figure ci-dessous, avec la prise en compte de la déflection.

[1] A. Revel &T.M. Minea – SESAM« Saclay Electron Solution for BeAm Modelling » software –
Déposants CNRS/Univ. Paris-Saclay, date de dépôt 9/01/2023, N° DL 16346-01